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感應(yīng)加熱電源的發(fā)展史介紹
來源：www.cm-jo.com發(fā)布時(shí)間：2021年06月29日
感應(yīng)加熱電源的發(fā)展是非常的快，這也是因?yàn)閭鹘y(tǒng)的加熱方式的缺陷，而感應(yīng)加熱的優(yōu)勢(shì)更好能夠彌補(bǔ)傳統(tǒng)的缺陷，所以下面給大家詳細(xì)講解一下它的發(fā)展史。
70至80年代初，人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件（GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。而在歐美，由于SIT存在高通態(tài)損耗（SIT工作于非飽和區(qū)）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化，MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)600kW、400kHz，德國(guó)在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50～200kHz，比利時(shí)InductoEiphiac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15～600kHz。浙江大
70至80年代初，人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件（GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。而在歐美，由于SIT存在高通態(tài)損耗（SIT工作于非飽和區(qū)）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化，MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)600kW、400kHz，德國(guó)在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50～200kHz，比利時(shí)InductoEiphiac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15～600kHz。浙江大
學(xué)在90年代研制出20kW、300kHzMOSFET高頻電源，已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。
